光刻机搅局者即将量产，5nm迈向2nm时代！

目前，在晶片制造领域，使用此制程的厂商，特别是制程较为先进的厂商，均采用光刻制程。

光刻机，照相平版印刷机，蚀刻机等等，都是不可或缺的，而光刻机更是其中最关键的一项，因为门槛高，研发困难，供应链复杂，所以价格也是所有设备中最高的。

另外，目前世界上有能力制造 EUV光刻机的只有四家厂商，其中 ASML是唯一一家具备7 nm及以下芯片制造能力的厂商。

ASML和上游、下游都有 EUV光刻机的专利，任何一家光刻机厂商，想要生产 EUV光刻机，都是一件非常困难的事情。

在过去几年里，其它光刻厂商已经绕过极紫外光刻技术，转而使用其它功能与极紫外光刻相同的技术。

其中有些技术大家应该很熟悉，包括纳米压印， BLE, X光， DSA等。

上述四项技术均被认为是最有可能实现7 nm以下的制程，并且能够绕过 EUV制程的封锁。

其中纳米压印技术进展最为迅速，数年前，日本光刻机生产商佳能公司与 SK Hynix公司合作开发出 NIL纳米压印技术，但仅能应用于65 nm等制程。

去年，佳能公司发布了最新的纳米压印半导体设备FPA-1200NZ2C，它可以在不使用 EUV的情况下，制造出5 nm芯片。

近日，佳能公司宣布，今年将批量生产FPA-1200NZ2C纳米压印设备，该设备的成本只有 EUV光刻的10%，功耗也只有 EUV光刻的10%。

与传统的纳米压印技术相比，该技术的成本可以降低40%。

佳能同时表示，未来还会对这款产品进行进一步的升级，希望能在2026年生产出2 nm芯片，这样就可以省去极紫外光刻工艺。

考虑到纳米压印机FPA-1200NZ2C显然还未完全投产，不知佳能是否真的在吹牛逼，还是在胡扯。

与此同时，业内也有人认为，纳米压印技术的良率要比 EUV低得多，产能和效率也要低得多，因此并不适用于大规模的芯片生产，而是适用于小批量生产。

但是有一点是不能否认的，如果佳能真的能量产，那么它对于 EUV光刻技术的影响将会非常大，甚至可以说是一场真正意义上的变革。

当然，由于禁令，目前我们是不可能得到 EUV光刻机的，但是它至少为我们提供了一个学习的方向，或许到那时候，我们就不会被 EUV制程所困，不是吗？