高通骁龙8Gen1dieshot-4nm工艺

启芯硬件 2024-05-13 19:24:40

一、背景

高通骁龙8代--这是一款8核芯片组,于2021年12月发布,采用4纳米工艺技术制造。它是“1+3+4”组合,有1个核心Cortex-X2,频率3000MHz,3个核心Cortex-A710,频率2500MHz,4个核心Cortex-A510,频率1800MHz。

SD8 GEN1具体有以下特色:

l集成的骁龙X65 5G调制解调器及射频系统,是全球首个支持10Gbps下载速度的5G调制解调器及射频解决方案。

l采用高通FastConnect 6900移动连接系统,通过Wi-Fi6/6E支持高达3.6Gbps的Wi-Fi速度。

l以每秒32亿像素的惊人速度,捕捉达前代平台4000多倍动态范围的影像数据。

l支持8K HDR视频拍摄,能以超过10亿色的HDR 10+格式进行拍摄。

另外,配置 高通 骁龙 8 Gen 1存储信息

内存类型

LPDDR5

内存频率

3200 MHz

配置 高通 骁龙 8 Gen 1多媒体参数信息

神经网络处理器

Hexagon

存储类型

UFS 3.1

屏幕分辨率

3840 x 2160

视频录制

8K at 30FPS, 4K at 120FPS

二、Die shot

高通骁龙8gen1的die shot如下

1.存储模块。NS方向,四个角有4通道LPDDR, 每一个为16bit, 具体为LPDDR5, 3200M

2.CPU模块。为1+3+4构成,最大X2, 中间的A710, 最小的A510. 下图可以明显看出

3.右上边为GPU模块,看起来是4个cluster

4.在下方为ISP,基带等模块,占据了大片的die size。

三、floorplan的功能模块分析

各模块的die size的大小。

Item

size(mm^2)

X2 core

3.46

A710 core

1.45

A510 dual core cluster

0.88

CPU cluster

15.11

GPU

19.02

SD8 G1

123.05

与Exynos 2200相比,SD8 Gen1的X2核心要大得多(相对于A710的增大了138.6%),而Exynos 2200的X2核心相对于A710的增大仅为69.8%。同时,A710和A510的大小都比Exynos 2200大12.8-15%。

SRAM相关的die size情况

SRAM(MiB)

size(mm^2)

SRAM density(MiB/mm^2)

L3

6

2.07

2.89

SLC

4

1.31

3.05

total

10

3.38

2.96

这意味着SD8 Gen1的整体密度可能略低于Exynos 2200,并且增加了X2核心的大小以实现更高的时钟速度。

同类芯片SRAM density对比

SRAM density

Exynos 2200(SS N4/32KiB block)

3.647

A14(TSMC N5)

3.527

M1(TSMC N5)

3.339

Google Tensor(SS N5)

3.175

Snapdragon8 Gen1

2.956

Kirin980(TSMC7nm)

2.287

Kirin990 5g(TSMC7nm EUV)

2.115

Lakefield(Intel10nm SF)

1.676

四、总结

骁龙8中,三代芯片的对比情况。

高通骁龙8的跑分情况

整体来看,这颗芯片整体比较平衡,规格旗舰级别。但是,还是翻车了。导致骁龙8Gen1功耗翻车的原因,三星4nm工艺是肯定要背锅的。后来,高通相关旗舰芯片转到了台积电工艺。

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简介:10+年经验硬件工程师,熟悉硬件芯片设计