上海光机所EUV光刻技术获重大突破，中国芯片生产有望不再被美国“卡脖子”！
目前只是原理跑通，离商用还有不小差，3.42%离5.5%商用还差一截。希望两年内完成。
中国科学院上海光学精密机械研究所（简称中国科学院上海光机所）林楠研究员带领团队，绕过二氧化碳激光，使用固体激光器技术成功开发出LPP-EUV光源，已经达到国际领先水平，对中国自主开展EUV光刻有重要意义。
上述报道称，该技术有望突破中国自主生产芯片的阻碍。
据悉，EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，主要关注能量转换效率（CE）。二氧化碳激光器激发的Sn等离子体 CE大于5%，是ASML光刻机的驱动光源，但此前这类光源由美国Cymer制造，在世界范围内处于垄断地位。
因此，林楠团队考虑使用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源，但能量效率需要进一步提升。目前林楠团队1um固体激光的CE最高可达到3.42%，超过了荷兰和瑞士研究团队的水平，虽然没有超过4%，但已经达到了商用光源5.5%转化效率的一半。
林楠团队研究人员估计，光源实验平台的理论最大转换效率可能接近6%，团队正计划增加进一步的研究，未来有望进一步实现国产EUV光刻技术。
