根据外媒报道，英伟达计划采用台积电3nm工艺生产其RTX 50系列显卡所使用的GB200系列GPU。最新曝光的细节显示，代号为GB202的旗舰产品RTX 5090的CUDA内核将增加50%，总数将达到24576个。这一数字比基于图灵架构的RTX 2080的内核数量多出了8倍多，展现出了引人瞩目的性能提升。

英伟达旗舰新卡的内存带宽预计将通过采用32Gbps GDDR7提升52%，超过目前RTX 4090所采用的GDDR6X。此外，时钟速度也有望提高15%，这是一项重大升级。预计这一调整将使RTX 5090的时钟频率达到2.9GHz，在游戏工作负载中轻松超越3GHz。相比之下，现有的RTX 4090的最高频率为2.52GHz。这些性能提升预示着英伟达在其最新显卡产品线上迈出了重要的一步。

NVIDIA计划将RTX 5090的二级缓存增加到128MB，这是原来的两倍之多，远远超过AMD RX 7900 XTX上的96MB。这一举措旨在充分利用GDDR7带来的更高内存带宽，进一步提升显卡性能。如果NVIDIA能够如愿以偿地实现这些宏伟目标，仅就规格而言，RTX 5090的性能将比RTX 4090高出70%以上，这将是一次重大的性能飞跃。

除了采用新工艺外，RTX 50系列显卡还将采用GDDR7显存，最高支持384bit位宽。这一举措将进一步提升显存的数据传输速度和处理效率。此外，新一代显卡还将提供HDMI和DP 2.1接口，以满足用户对多显示器和高分辨率输出的需求。通过采用PCIe 5.0连接，显卡与主机之间的数据传输速度将大幅提升，为玩家打开更加流畅的游戏体验。此外，供电方面也进行了改进，使用了12V-2x6 16pin接口，以确保显卡能够稳定运行并提供足够的功率支持。尽管具体发布时间尚不确定，但预计RTX 50系列显卡可能会在2024年底或2025年推出，为用户带来全新的图形性能和视觉体验。