1957年，一位中国女士回国时，遭到了美国海关的严格检查，并没收了其行李箱中的6800美元，但匪夷所思的是，该女士竟然不怒反喜！ （本文主要参考信源：中科院之声、中国科学院《林兰英：被称为中国半导体材料之母》） 林兰英出生于1918年,是家中的长女。按照当时社会的潜规则,女孩不需要太多学习,因为她们终将嫁人为妻作母。然而,小小年纪的林兰英就对知识怀有无比渴望。 为了能够踏进校门获取学习的机会,7岁的林兰英不吃不喝,用绝食的方式向家人发出抗议。三天后,她的母亲终于心软,说服家人让林兰英进入学校读书。 令人意外的是,林兰英从小学开始就展现出了过人的学习天赋,成绩名列前茅。中学时代,林兰英依旧是年级中的佼佼者,更是当年级中仅有的一名女生。 凭借优异的成绩,她最终如愿以偿地考入了福建协和大学物理系,正式踏上了科学的道路。毕业后,她又获得了前往美国留学深造的宝贵机会。 1944年,林兰英怀着对知识的渴望来到了美国。在宾夕法尼亚迪金森学院,她专心钻研数学和物理学,用短短一年时间就获得了数学学士学位,接着又在两年内拿到了物理硕士学位。 后来她又花费四年时间,获得了固体物理学博士学位。林兰英不仅成为了该校有史以来第一位获得博士学位的中国留学生,更是第一位拥有博士头衔的女性。 她的卓越成就使她在美国成为人们追捧的明星科学家,可谓是名利双收。然而,当林兰英想要回国为祖国效力时,美国政府却对她设置了重重障碍,无理扣留了她数年之久。 没有办法,她只能暂时留在美国工作,并在导师的推荐下进入了著名的索菲尼亚公司,从事半导体材料研究。 在美国优厚的薪酬待遇下,林兰英本可以过着逍遥自在的生活。然而,新中国的成立却让她备受触动,心系祖国的她渴望为国家的科研事业贡献自己的一份力量。 1956年,林兰英收到一封来自祖国的密信,信中恳切地希望她能够回国参与科研工作。 虽然美国政府向她抛出了10万美元年薪和绿卡的诱惑,试图将她永远留在美国,但林兰英对祖国的眷恋和报国热忱超越了一切。 她以"母亲病重"为由,向美国政府申请回国,并准备带回500克珍贵的单晶硅研究成果,投身于祖国的科研事业。 1957年,当林兰英准备踏上回国的航船时,美国海关和联邦调查局对她进行了严密的拦截和搜身。 海关人员发现了林兰英随身携带的6800美元现金,毫不客气地将其没收了。 不过,就在这危急关头,装着单晶硅的两个小药瓶却逃过了他们的视线。1957年初,怀揣着对科研事业的热忱和半导体材料的希望,林兰英回到了北京。 她立即加入了中国科学院物理研究所,开启了为祖国奉献自我的崭新征程。短短几年后的1960年,林兰英更是亲自主持成立了中国科学院半导体研究所,并担任所长一职,将半导体材料研究作为事业重心。 在当时极为艰苦的条件下,她带领团队孜孜不倦地做着实验和探索。功夫不负有心人,不到一年时间,他们就研制出了中国第一根国产单晶锗。这项成果为国内半导体事业发展注入了強心剂。 除了半导体材料研究,林兰英还将目光投向了太空材料等国家尖端科技领域,推动着中国科技事业的发展,为实现科技强国梦想不懈努力。 林兰英的归国,对美国来说是一个巨大的损失，他们不仅失去了一位在半导体材料领域独树一帜的顶尖人才,还让宝贵的单晶硅研究成果流失到了中国。 如果当初没有阻挠林兰英回国,而是慷慨留下这个人才,或许美国就能在半导体领域长期占据领先地位。 然而,他们自负的做法,不仅让美国在这一领域的优势荡然无存,还为中国赢得了追赶的机会。半导体技术的外流,使得中国在这个关键领域很快就实现了自主创新,不再被外国芯片所卡脖子。 相反,美国则在很长一段时间里,都无法在这个领域重拾领先优势,从而受到了沉重打击。 "中国半导体材料之母"这一美誉出自对林兰英在该领域卓越贡献的高度肯定。从无到有,从追赶到并跑,再到自主创新,林兰英用自己的毕生心血,为中国半导体科学事业写下了浓重的一笔。
